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美国“换道超车”制造出0.7nm芯片!ASML开始慌了,打破美国的禁令,向中国出售光刻机

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随着我国经济实力的不断发展,我国在科学技术领域的投入不断增加,科学技术也实现了飞速发展,甚至有些领域已经达到全球领先水平,让中国的科技在全球占据了重要地位。

谈的科就不得不谈芯片,目前基本所有行业都离不开芯片,大到军事、智能智造、人工智能、汽车自动驾驶等,小到电脑、手机、相机等数码设备,都离不开芯片。
所以,芯片领域技术的先进性,已成为一国家的“命脉”。
虽然我国近几年涌现出不少芯片科技企业,比如:中兴、华为、中芯国际等,这此年它个也做出了许多耀眼的成绩,华为的麒麟芯片、5G技术等都是非常先进,但我们毕竟在芯片领域起步较晚,所以中国芯片领域目前总体还处于相对落后状态,尤其是在光刻机的设计和制造方面,更上缺少核心的人才和高科技技术。
目前,全球半导体芯片领域的霸主是美国 ,所以,美国一直在芯片领域有着主导地位,也一直对一些国家实行科技霸权。
像华为自己设计研发的麒麟芯片,也可以和高通进行抗衡,完全可以满足华为自己的手机、电脑使用,但美国看不下去了,这已经触碰到他们的核心利益,所以对华为以及上下游关于芯片领域的公司一顿操作,禁止台积电(用的美国eda技术)为华为麒麟芯片代工、禁止美国、日本企业为华为提供芯片材料、禁止华为5G技术在欧美使用、禁止ASML公司出口光刻机给中国大陆等等,这些禁令确实对华为打击不小,直至今日华为也没有找到有效的突破方案。
近几年,我国芯片领域遭受到美国的多轮制裁之后,我们也开始逐步重视起来,开始不断加大芯片领域上下游产业的人力物力投入,也为自己定下了要在2025年实现芯片自给率70%目标,彻底摆脱芯片的依赖。
目前我国的芯片制造还处于28nm技术水平,14nm也可以制造,但是良品率术低,不能大规模生产。
我们目前不能制造更高技术的芯片,是因为我们没有EUV光刻机, 是美国一直禁止ASML将这种高端的光刻机出售给中国大陆,所以我们要实现自主研发、制造高端芯片,还需要走很长的路。
中国台企(台积电)目前靠着进口的EUV光刻机,可以实现4nm芯片量产,但这几乎也是极限了,更高端的3nm、2nm的芯片还不能量产,如果想突破估计还要两年左右的时间。当们还在为高端光刻机和芯片发愁的时候,美国竟然已经生产出了0.7nm芯片,打了芯片代工企业龙头台积电一个措手不及。
没错,这就是全球首颗0.7nm芯片,它并非是用传统形式制造出来的,而是美国企业Zyvex公司使用了电子束光刻技术生产出来的。虽然这种工艺生产出来的芯片精度更高,但是无法在短期时间内实现量产,而且并不会在智能手机等智能设备上使用,而是主要应用于量子计算机上面,无法撼动光刻机芯片的目前主流地位。
但也ASML也不能放下警惕,目前美国企业Zyvex研发的这套全球最高精度的光刻系统“ZyvexLitho1”已经正式投入商用,这可是上目前精度最高的技术。
未来如果美国做到量产化,并且能控制好芯片制造的在成本,再把它应用到智能手机等智能设备,那么EUV光刻机可就彻底的败了,ASML做梦都没有想到,美国的制裁这么快就来了;再加上日本光刻机巨头宣布,将在2026年3月份之前把自己的光刻机设备出货量提升至目前三年水平的一倍以上;同时,会加快对中国光刻机市场的布局,开拓更多的客户。
所以,ASML宁愿违背美国的禁令,也要向中国出售光刻机了,ASML感觉到了压力,必须做出正确的选择,全力抢占中国芯片市场。
美国制造出0.7nm芯片,也给了我们一个警示,目前短时间内想制造出比ASML还要先进的高端光刻机不太现实,我们只能过换“赛道”来实现弯道超车,这才是最明智的选择。
近期,华为在芯片3D领域堆叠技术上实现新突破,根据相关报道:华为目前已经拥有了多项芯片3D堆叠方面的技术,并且已经能够实现将两块14nm的芯片通过3D堆叠技术实现7nm芯片的性能了。
当然,目前的3D堆叠技术还存在一些问题,像能耗问题、成本问题等还需要克服,等华为解决了这些问题之后,就可以正式投入使用,这刚好解决了我国无法生产7nm以上高端芯片的难题。
除了芯片3D堆叠技,我国在量子芯片和光量子芯片领域也取得了很大的成就,目前华为已经发布了关于量子芯片和量子计算机的相关技术,解决了当下量子芯片制造难度大、良品率低等问题。
并且,我国的本源量子最近也成功研发出了量子芯片的设计软件,而且这款量子芯片设计软件也是目前全球第一款,可以说意义非常重大,体现了我国的超强研发能力。
他说:“有一位刘薰宇先生,他是位数学家,写过许多通俗易懂和极其有趣的数学方面的文章。我记得,我读了他写的关于一个智力测验的文章,才知道排列和奇偶排列这些极为重要的数学概念。”

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